| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-247 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 14.6A |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW15NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 500 V, 0.3 ohm, 30 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ K5 系列，SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ K5 系列，SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道55V - 0.005欧姆-120A DPAK / TO- 220 / TO- 247 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.005 ohm -120A DPAK/TO-220/TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 0.270ヘ - 14A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道500V - 0.33ohm - 14.6A - T0-247 / ISOWATT218的PowerMESH MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.33ohm - 14.6A - T0-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强模式快速功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道650V - 0.25ヘ - 15.5A - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 650V - 0.25ヘ - 15.5A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
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