STW15NM65N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
封装:	TO-247
描述:	N沟道650V - 0.25ヘ - 15.5A - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 650V - 0.25ヘ - 15.5A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
PDF文件:	STW15NM65N 数据手册 (18 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

STW15NM65N 数据手册 (18 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STW15NM65N 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
封装	TO-247
极性	N-CH
漏源极电压(Vds)	650 V
连续漏极电流(Ids)	15.5A

查看数据手册 >

STW15NM65N 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active

查看数据手册 >

STW15NM65N 符合标准

STW15NM65N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.49 MByte

STW15NM65 数据手册

STW15NM65N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道650V - 0.25ヘ - 15.5A - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 650V - 0.25ヘ - 15.5A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号