| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 40.0 V |
| 额定电流 | 80.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 6.5 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 110 W |
| 输入电容 | 2.20 nF |
| 栅电荷 | 54.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 80.0 A |
| 上升时间 | 50 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2200pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 110 W |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 110W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.6 mm |
| 宽度 | 6.2 mm |
| 高度 | 2.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道40 V， 5.0毫欧， 80 A， DPAK ， TO- 220的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220 STripFET™ III Power MOSFET
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N沟道24V - 0.0039ohm - 80A DPAK超低栅极电荷的STripFET MOSFET N-CHANNEL 24V - 0.0039ohm - 80A DPAK ULTRA LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
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N 通道 STripFET™ V，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD95N3LLH6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道40V - 5.4mohm - 80A - DPAK - TO- 220的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 40V - 5.4mohm - 80A - DPAK - TO-220 STripFET Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道24V - 0.0039ヘ - 80A - DPAK - IPAK超低栅极电荷STripFET⑩功率MOSFET N-channel 24V - 0.0039ヘ - 80A - DPAK - IPAK Ultra low gate charge STripFET⑩ Power MOSFET
Visual Communications Company
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Visual Communications Company
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道24V - 0.0039ヘ - 80A - DPAK - IPAK超低栅极电荷STripFET⑩功率MOSFET N-channel 24V - 0.0039ヘ - 80A - DPAK - IPAK Ultra low gate charge STripFET⑩ Power MOSFET
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