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STE110NS20FD
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STE110NS20FD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:ISOTOP-4
描述:N沟道200V - 0.022W - 110A ISOTOP MESH OVERLAY⑩功率MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.022W - 110A ISOTOP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
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焊盘图
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STE110NS20FD 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流110 A
封装ISOTOP-4
漏源极电阻24.0 mΩ
极性N-Channel
功耗500 W
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)110 A
上升时间130 ns
输入电容值(Ciss)7900pF @25V(Vds)
额定功率(Max)500 W
下降时间140 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)500W (Tc)
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STE110NS20FD 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度38.2 mm
宽度25.5 mm
高度9.1 mm
工作温度150℃ (TJ)
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STE110NS20FD 数据手册

STE110NS20FD 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道200V - 0.022W - 110A ISOTOP MESH OVERLAY⑩功率MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.022W - 110A ISOTOP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
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