| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 550 V |
| 额定电流 | 8.00 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 800 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 25W (Tc) |
| 输入电容 | 415 pF |
| 栅电荷 | 13.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 550 V |
| 漏源击穿电压 | 550 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 8.00 A |
| 上升时间 | 8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 415pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 25 W |
| 下降时间 | 6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 25W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 550 V 8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道500V - 0.7ohm - 8A TO- 220 / TO- 220FP MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A TO-220/TO-220FP MDmesh⑩Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP8NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 500 V, 0.73 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道550V @ TJMAX - 0.7ヘ - 8A - TO- 220 - TO- 220FP MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 550V @ Tjmax - 0.7ヘ - 8A - TO-220 - TO-220FP MDmesh⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道550V @ TJMAX - 0.7ヘ - 8A - TO- 220 - TO- 220FP MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 550V @ Tjmax - 0.7ヘ - 8A - TO-220 - TO-220FP MDmesh⑩ Power MOSFET
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