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STE40NK90ZD
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STE40NK90ZD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:ISOTOP-4
描述:N沟道900V - 0.14 - 40 A ISOTOP超级FREDMeshTM MOSFET N-CHANNEL 900V - 0.14 - 40 A ISOTOP Super FREDMeshTM MOSFET
PDF文件:STE40NK90ZD 数据手册 (13 页)封装尺寸在10 页11 页
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焊盘图
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STE40NK90ZD 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
额定电压(DC)900 V
额定电流40.0 A
封装ISOTOP-4
额定功率600 W
漏源极电阻180 mΩ
极性N-Channel
功耗600 W
漏源极电压(Vds)900 V
漏源击穿电压900 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)40.0 A
上升时间102 ns
输入电容值(Ciss)25000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)600 W
下降时间200 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)600W (Tc)
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STE40NK90ZD 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
长度38.2 mm
宽度25.5 mm
高度9.1 mm
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
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STE40NK90ZD 数据手册

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STE40NK90ZD 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道900V - 0.14 - 40 A ISOTOP超级FREDMeshTM MOSFET N-CHANNEL 900V - 0.14 - 40 A ISOTOP Super FREDMeshTM MOSFET
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