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STF10N65K3
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STF10N65K3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:STMICROELECTRONICS  STF10N65K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 650 V, 1 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:STF10N65K3 数据手册 (13 页)封装尺寸在10 页11 页
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STF10N65K3 数据手册 (13 页)
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STF10N65K3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻1 Ω
极性N-Channel
功耗35 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)10A
上升时间14 ns
输入电容值(Ciss)1180pF @25V(Vds)
额定功率(Max)35 W
下降时间35 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)35W (Tc)
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STF10N65K3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STF10N65K3 数据手册

STF10N65K3 数据手册
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STF10N65K3 产品设计图
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STF10N65K3 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
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STF10N65K3 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
34 页 / 0.79 MByte

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