STF12NM50ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	N沟道500V ， 0.29欧姆， 11A ， FDmesh II功率MOSFET （具有快速二极管）的D2PAK ， DPAK ， TO- 220FP N-channel 500V, 0.29 OHM, 11A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, DPAK, TO-220FP
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STF12NM50ND 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-220-3
功耗	25000 mW
漏源极电压(Vds)	500 V
上升时间	15 ns
输入电容值(Ciss)	850pF @50V(Vds)
额定功率(Max)	25 W
下降时间	17 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	25W (Tc)

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STF12NM50ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
工作温度	150℃ (TJ)

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STF12NM50ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STF12NM50ND 数据手册

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N沟道500V ， 0.29欧姆， 11A ， FDmesh II功率MOSFET （具有快速二极管）的D2PAK ， DPAK ， TO- 220FP N-channel 500V, 0.29 OHM, 11A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, DPAK, TO-220FP

STF12NM50N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道500V - 0.29ヘ - 11A - TO- 220 / FP- D2PAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.29ヘ - 11A - TO-220 /FP- D2PAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

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