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STF2HNK60Z
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STF2HNK60Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
PDF文件:STF2HNK60Z 数据手册 (16 页)原理图在1 页
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STF2HNK60Z 数据手册 (16 页)
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STF2HNK60Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻4.4 Ω
极性N-Channel
功耗20 W
阈值电压3.75 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)1.00 A
上升时间30 ns
输入电容值(Ciss)280pF @25V(Vds)
额定功率(Max)20 W
下降时间50 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)20W (Tc)
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STF2HNK60Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.4 mm
宽度4.6 mm
高度16.4 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STF2HNK60Z 数据手册

STF2HNK60Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
16 页 / 0.44 MByte
STF2HNK60Z 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
36 页 / 1.07 MByte
STF2HNK60Z 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
22 页 / 0.86 MByte

STF2HNK60 数据手册

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