STF30NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	N沟道600 V ， 0.11 Ω ， 25 A FDmesh ？二功率MOSFET （具有快速二极管）的TO- 220，TO- 220FP ， D2PAK ， I2PAK ，TO- 247 N-channel 600 V, 0.11 Ω, 25 A FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode) TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247
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STF30NM60ND 数据手册 (18 页)

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STF30NM60ND 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
封装	TO-220-3
极性	N-CH
功耗	40 W
漏源极电压(Vds)	600 V
连续漏极电流(Ids)	25A
上升时间	50 ns
输入电容值(Ciss)	2800pF @50V(Vds)
下降时间	75 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	40W (Tc)

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STF30NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Not Recommended for New Designs
包装方式	Tube
工作温度	150℃ (TJ)

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STF30NM60ND 符合标准

STF30NM60ND 概述

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STF30NM60 数据手册

STF30NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600 V ， 0.11 Ω ， 25 A FDmesh ？二功率MOSFET （具有快速二极管）的TO- 220，TO- 220FP ， D2PAK ， I2PAK ，TO- 247 N-channel 600 V, 0.11 Ω, 25 A FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode) TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247

STF30NM60N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600 V ， 0.1 Ω ， 25 A ，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 ， D2PAK ， I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK

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