STS2DPFS20V 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	SOIC-8
描述:	P沟道20V - 0.14欧姆 - 2.5A SO- 8 2.7V -DRIVE STripFET⑩ II PLUS MOSFET肖特基二极管 P-CHANNEL 20V - 0.14 ohm - 2.5A SO-8 2.7V-DRIVE STripFET⑩ II MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODE
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STS2DPFS20V 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	8 Pin
额定电压(DC)	-20.0 V
额定电流	-2.50 A
封装	SOIC-8
通道数	1 Channel
漏源极电阻	200 mΩ
极性	P-Channel
功耗	2 W
漏源极电压(Vds)	20 V
漏源击穿电压	20 V
栅源击穿电压	±12.0 V
连续漏极电流(Ids)	2.50 A
上升时间	30 ns
输入电容值(Ciss)	315pF @15V(Vds)
额定功率(Max)	2 W
下降时间	11 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	55 ℃
耗散功率(Max)	2W (Tc)

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STS2DPFS20V 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Obsolete
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	5 mm
宽度	4 mm
高度	1.65 mm
工作温度	150℃ (TJ)

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P沟道20V - 0.14欧姆 - 2.5A SO- 8 2.7V -DRIVE STripFET⑩ II PLUS MOSFET肖特基二极管 P-CHANNEL 20V - 0.14 ohm - 2.5A SO-8 2.7V-DRIVE STripFET⑩ II MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODE

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