| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.56 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 25 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7A |
| 上升时间 | 14 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 690pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 25 W |
| 下降时间 | 11 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 25W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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STMICROELECTRONICS STF8N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.56 ohm, 10 V, 4 V
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