| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 功耗 | 125000 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 反向恢复时间 | 31 ns |
| 额定功率(Max) | 125 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 125000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
IGBT - 600 V 35 A 125 W 表面贴装型 D2PAK
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STGB19NC60H 系列 600 V 19 A 耐短路 IGBT 表面贴装 - D2PAK
ST Microelectronics（意法半导体）
20 A - 600 V - 短路崎岖IGBT 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
ST Microelectronics（意法半导体）
20 A - 600 V - 短路崎岖IGBT 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
19 A - 600 V - 非常快IGBTE [ 19 A - 600 V - very fast IGBTE[
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