| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 功耗 | 150000 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 反向恢复时间 | 110 ns |
| 额定功率(Max) | 260 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 150000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -40℃ ~ 175℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
IGBT-沟槽型场截止-600V-60A-260W-表面贴装型-D2PAK
ST Microelectronics（意法半导体）
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