| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TO-252-3 |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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ST Microelectronics（意法半导体）
600 V - 10 A - 非常快速的IGBT 600 V - 10 A - very fast IGBT
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 10A - D2PAK / TO- 220 / DPAK短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT
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10 A， 600 V短路崎岖IGBT 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
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N沟道600V - 10A - D2PAK / TO- 220 / DPAK短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT
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N沟道10A - 600V - DPAK非常快PowerMESH⑩ IGBT N-channel 10A - 600V - DPAK Very fast PowerMESH⑩ IGBT
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