| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-3-3 |
| 功耗 | 375 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 反向恢复时间 | 74 ns |
| 额定功率(Max) | 375 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 375 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.7 mm |
| 宽度 | 5.7 mm |
| 高度 | 26.7 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
IGBT 分立，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STGWT60V60DF 系列 600 V 60 A 高速 沟槽栅 场截止 IGBT - TO-3P
ST Microelectronics（意法半导体）
IGBT 分立，STMicroelectronics IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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