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STL23NM60ND
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STL23NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:PowerFlat-4
描述:STMICROELECTRONICS  STL23NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:STL23NM60ND 数据手册 (11 页)
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STL23NM60ND 数据手册 (11 页)
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STL23NM60ND 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数5 Pin
封装PowerFlat-4
通道数1 Channel
针脚数5 Position
漏源极电阻0.15 Ω
极性N-Channel
功耗150 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)600 V
上升时间45 ns
输入电容值(Ciss)2050pF @50V(Vds)
下降时间40 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3W (Ta), 150W (Tc)
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STL23NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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STL23NM60ND 数据手册

STL23NM60ND 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
11 页 / 0.45 MByte
STL23NM60ND 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
16 页 / 1.05 MByte
STL23NM60ND 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
16 页 / 1.12 MByte

STL23NM60 数据手册

STL23NM60ND 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STL23NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
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