STL6NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	5X5-8
描述:	N沟道600 V - 0.85ヘ - 5.75 - PowerFLAT⑩ （ 5×5 ）超低栅极电荷MDmesh⑩ II功率MOSFET N-channel 600 V - 0.85 ヘ - 5.75 A - PowerFLAT⑩ (5x5) ultra low gate charge MDmesh⑩ II Power MOSFET
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STL6NM60N 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	14 Pin
封装	5X5-8
功耗	70W (Tc)
漏源极电压(Vds)	600 V
上升时间	8 ns
输入电容值(Ciss)	420pF @50V(Vds)
下降时间	9 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	70W (Tc)

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STL6NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Obsolete
包装方式	Tape & Reel (TR)
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STL6NM60N 符合标准

STL6NM60N 海关信息

STL6NM60N 概述

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ST Microelectronics（意法半导体）

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ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600 V - 0.85ヘ - 5.75 - PowerFLAT⑩ （ 5×5 ）超低栅极电荷MDmesh⑩ II功率MOSFET N-channel 600 V - 0.85 ヘ - 5.75 A - PowerFLAT⑩ (5x5) ultra low gate charge MDmesh⑩ II Power MOSFET

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