STD8NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-252-3
描述:	N沟道600 V - 0.56ヘ - 7 A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK封装的第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 0.56 ヘ - 7 A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
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STD8NM60N 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-252-3
极性	N-CH
功耗	70W (Tc)
漏源极电压(Vds)	600 V
连续漏极电流(Ids)	7A
上升时间	12 ns
输入电容值(Ciss)	560pF @50V(Vds)
下降时间	10 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	70W (Tc)

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STD8NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Unknown
包装方式	Tape & Reel (TR)
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STD8NM60N 符合标准

STD8NM60N 概述

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ST Microelectronics（意法半导体）

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N沟道600 V ， 0.56 Ω ， 7一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK ， D2PAK N-channel 600 V, 0.56 Ω,7 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK

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ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600 V - 0.56ヘ - 7 A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK封装的第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 0.56 ヘ - 7 A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

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