类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 4.00 A |
封装 | TO-261-4 |
额定功率 | 3.3 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 4 Position |
漏源极电阻 | 0.07 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 3.3 W |
阈值电压 | 2.8 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60.0 V |
栅源击穿电压 | ±16.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 4.00 A |
上升时间 | 25 ns |
输入电容值(Ciss) | 340pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 3.3 W |
下降时间 | 10 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3.3W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.5 mm |
宽度 | 3.5 mm |
高度 | 1.8 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STN3NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 60 V, 0.07 ohm, 20 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STN3NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.8 V
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