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STN3P6F6
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STN3P6F6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-261-4
描述:P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
PDF文件:STN3P6F6 数据手册 (13 页)封装尺寸在10 页11 页
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STN3P6F6 数据手册 (13 页)
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STN3P6F6 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装TO-261-4
通道数1 Channel
针脚数4 Position
漏源极电阻0.13 Ω
极性P-Channel
功耗2.6 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60 V
连续漏极电流(Ids)3A
上升时间5.3 ns
输入电容值(Ciss)340pF @48V(Vds)
额定功率(Max)2.6 W
下降时间3.7 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.6W (Tc)
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STN3P6F6 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.7 mm
宽度3.7 mm
高度1.8 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STN3P6F6 数据手册

STN3P6F6 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
13 页 / 0.57 MByte
STN3P6F6 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
12 页 / 1.06 MByte
STN3P6F6 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
5 页 / 0.04 MByte

STN3P6 数据手册

STN3P6F6 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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