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RW1A030APT2CR
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RW1A030APT2CR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-563-6
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -12 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1 V
PDF文件:RW1A030APT2CR 数据手册 (8 页)
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RW1A030APT2CR 数据手册 (8 页)
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RW1A030APT2CR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SOT-563-6
针脚数6 Position
漏源极电阻0.03 Ω
极性P-Channel
功耗700 mW
阈值电压1 V
漏源极电压(Vds)12 V
上升时间30 ns
输入电容值(Ciss)2700pF @6V(Vds)
额定功率(Max)700 mW
下降时间75 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)700mW (Ta)
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RW1A030APT2CR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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RW1A030APT2CR 数据手册

RW1A030APT2CR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
8 页 / 0.47 MByte
RW1A030APT2CR 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
13 页 / 2.41 MByte
RW1A030APT2CR 产品封装文件
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
3 页 / 0.07 MByte
RW1A030APT2CR 产品手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
38 页 / 10.45 MByte

RW1A030APT2 数据手册

RW1A030APT2CR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -12 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1 V
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