类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 10.0 A |
封装 | TO-220-3 |
漏源极电阻 | 370 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 90 W |
输入电容 | 850 pF |
栅电荷 | 31.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
漏源击穿电压 | 600 V |
栅源击穿电压 | ±25.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 10.0 A |
上升时间 | 18.5 ns |
输入电容值(Ciss) | 850pF @50V(Vds) |
额定功率(Max) | 90 W |
下降时间 | 12 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 90W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 4.6 mm |
高度 | 9.15 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP11NM60 场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 11A, TO-220
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP11NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.40OHM - 11A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK FDmesh TM功率MOSFET (具有快速二极管) N-channel 600V - 0.40OHM - 11A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK FDmesh TM Power MOSFET (with fast diode)
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.4ohm -11A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.4ohm - 11A TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm - 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.37ohm -10A - TO- 220 , TO- 220FP- IPAK - DPAK第二代的MDmesh功率MOSFET N-channel 600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP- IPAK-DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET
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N沟道650V TJMAX - 0.4OHM - 11A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK的MDmesh功率MOSFET N-channel 650V TJmax - 0.4OHM - 11A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.4ohm - 11A TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm - 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET
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