STP130NS04ZB 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
封装:	TO-220
描述:	N沟道钳位 - 7毫欧 - 80A TO- 220 / I2 / D2PAK / TO- 247完全保护网覆盖TM MOSFET N-channel clamped - 7 mOHM - 80A TO-220/I2/D2PAK/TO-247 Fully protected mesh overlay TM MOSFET
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STP130NS04ZB 数据手册 (6 页)

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STP130NS04ZB 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-220
极性	N-CH
漏源极电压(Vds)	33 V
连续漏极电流(Ids)	80A
上升时间	10 ns
输入电容值(Ciss)	2700pF @25V(Vds)
下降时间	100 ns
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	300000 mW

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STP130NS04ZB 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Obsolete
包装方式	Tube

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N沟道钳位 - 7毫欧 - 80A TO- 220 / I2 / D2PAK / TO- 247完全保护网覆盖TM MOSFET N-channel clamped - 7 mOHM - 80A TO-220/I2/D2PAK/TO-247 Fully protected mesh overlay TM MOSFET

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