| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 0.0032 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 330 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 60.0 A |
| 上升时间 | 150 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 6800pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 330 W |
| 下降时间 | 50 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 330W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 15.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道55V - 2.9米欧姆 - 120A - D- 2 PAK - TO- 220的MDmesh -TM低电压功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 2.9m-ohm - 120A - D-2 PAK - TO-220 MDmesh-TM Low Voltage Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
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