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STP190N55LF3
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STP190N55LF3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:55V,120A,N沟道MOSFET
PDF文件:STP190N55LF3 数据手册 (12 页)封装尺寸在9 页10 页
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焊盘图
引脚图
产品图
STP190N55LF3 数据手册 (12 页)
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STP190N55LF3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
极性N-CH
功耗312 W
输入电容6200 pF
漏源极电压(Vds)55 V
连续漏极电流(Ids)120A
上升时间40 ns
输入电容值(Ciss)6200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)312 W
下降时间40 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)312W (Tc)
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STP190N55LF3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.4 mm
宽度4.6 mm
高度9.15 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STP190N55LF3 数据手册

STP190N55LF3 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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STP190N55 数据手册

STP190N55LF3 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
55V,120A,N沟道MOSFET
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