| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0021 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 315 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 13600 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 80 V |
| 上升时间 | 180 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 13600pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 315 W |
| 下降时间 | 42 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 315W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 15.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
69 页 / 1.58 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
6 页 / 0.09 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
22 页 / 1.61 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
