| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 100 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-226-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 625 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 最小电流放大倍数 | 100 @100mA, 1V |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5.2 mm |
| 宽度 | 4.19 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
小信号 NPN 晶体管，60V 至 100V，Fairchild Semiconductor
●### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor
●双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
放大器晶体管 Amplifier Transistors
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MPSA06.. 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 100 MHz, 625 mW, 500 mA, 100 hFE
CJ（长电科技）
三极管(晶体管) MPSA06 TO-92 NPN,Vceo=80V,Ic=500mA,HFE=100-400
NXP（恩智浦）
NPN通用晶体管 NPN general purpose transistor
KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）
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