| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.108 Ω |
| 功耗 | 190 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 上升时间 | 9.6 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1781pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 190 W |
| 下降时间 | 9 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 190W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 600 V 26A（Tc） 190W（Tc） TO-220
ST Microelectronics（意法半导体）
20 页 / 1.06 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
27 页 / 1.57 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
19 页 / 1.09 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
9 页 / 0.23 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间，可提高效率，此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力，可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 600 V, 0.108 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 600 V, 0.105 ohm, 10 V, 4 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
