| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 320 mA |
| 封装 | DIP-4 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 4.4 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 320 mA |
| 上升时间 | 23 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 350pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 下降时间 | 25 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1000 mW |
VISHAY（威世）
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International Rectifier（国际整流器）
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFDC20PBF 场效应管, MOSFET, N沟道
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