| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 25 W |
| 阈值电压 | 4.5 V |
| 输入电容 | 575 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 575pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 25 W |
| 下降时间 | 32 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 25000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 9.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
18 页 / 0.53 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
28 页 / 1.03 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP4NK80Z. 场效应管, MOSFET, N沟道, 800V, 3A, TO-220
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道800V - 3ヘ - 3A - TO- 220 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳 - 保护SuperMESH⑩ MOSFET N-channel 800V - 3ヘ - 3A - TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener - Protected SuperMESH⑩ MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
