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STP5NK65Z
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STP5NK65Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N沟道650V - 1.5ohm - 5A TO- 220齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 650V - 1.5ohm - 5A TO-220 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
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STP5NK65Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
漏源极电阻1.80 Ω
极性N-Channel
功耗85W (Tc)
漏源极电压(Vds)650 V
漏源击穿电压650 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)5.00 A
输入电容值(Ciss)680pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)85W (Tc)
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STP5NK65Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STP5NK65Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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