STP70N10F4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	N沟道100 V， 0.015 I© ， 60 A ， STripFETâ ?? ¢ DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用TO- 220 ， DPAK ， TO- 247 ， D2PAK N-channel 100 V, 0.015 Î©, 60 A, STripFETâ¢ DeepGATEâ¢ Power MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAK
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STP70N10F4 数据手册 (18 页)

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STP70N10F4 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-220-3
通道数	1 Channel
漏源极电阻	15 mΩ
极性	N-Channel
功耗	150 W
漏源极电压(Vds)	100 V
漏源击穿电压	100 V
上升时间	20 ns
输入电容值(Ciss)	5800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	150 W
下降时间	20 ns
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	55 ℃
耗散功率(Max)	150W (Tc)

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STP70N10F4 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	10.4 mm
宽度	4.6 mm
高度	9.15 mm
工作温度	-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STP70N10F4 符合标准

STP70N10F4 概述

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N沟道100 V， 0.015 I© ， 60 A ， STripFETâ ?? ¢ DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用TO- 220 ， DPAK ， TO- 247 ， D2PAK N-channel 100 V, 0.015 Î©, 60 A, STripFETâ¢ DeepGATEâ¢ Power MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAK

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