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STP7NK30Z
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STP7NK30Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N沟道300V - 0.80欧姆 - 5A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护超网功率MOSFET N-CHANNEL 300V - 0.80 OHM - 5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH?Power MOSFET
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STP7NK30Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)300 V
额定电流5.00 A
封装TO-220-3
漏源极电阻0.9 Ω
极性N-Channel
功耗50 W
阈值电压3.75 V
漏源极电压(Vds)300 V
漏源击穿电压300 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)5.00 A
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)380pF @25V(Vds)
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)50W (Tc)
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STP7NK30Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
长度10.4 mm
宽度4.6 mm
高度9.15 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道300V - 0.80欧姆 - 5A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护超网功率MOSFET N-CHANNEL 300V - 0.80 OHM - 5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH?Power MOSFET
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