类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 1.00 kV |
额定电流 | 6.50 A |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 1.85 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 160 W |
阈值电压 | 3.75 V |
输入电容 | 2.18 nF |
栅电荷 | 73.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 1000 V |
漏源击穿电压 | 1.00 kV |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 6.50 A |
上升时间 | 19 ns |
输入电容值(Ciss) | 2180pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 160 W |
下降时间 | 30 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 160W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 4.6 mm |
高度 | 9.15 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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