STW35N60DM2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	中高压MOS管
封装:	TO-247-3
描述:	N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间，可提高效率，此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力，可提高系统可靠性符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STW35N60DM2 数据手册 (26 页)

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STW35N60DM2 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-247-3
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.094 Ω
极性	N-Channel
功耗	210 W
阈值电压	4 V
漏源极电压(Vds)	600 V
上升时间	17 ns
输入电容值(Ciss)	2400pF @100V(Vds)
下降时间	10.7 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	210W (Tc)

STW35N60DM2 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	15.75 mm
宽度	5.15 mm
高度	20.15 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STW35N60DM2 符合标准

STW35N60DM2 海关信息

STW35N60DM2 概述

STW35N60DM2 数据手册

STW35N60DM2 其他数据使用手册

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STW35N60DM2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.68 MByte

STW35N60 数据手册

STW35N60DM2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间，可提高效率，此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力，可提高系统可靠性符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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