| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 正向电压 | 1.75 V |
| 热阻 | 1.25 ℃/W |
| 反向恢复时间 | 0 ns |
| 正向电流 | 10 A |
| 最大正向浪涌电流 | 90 A |
| 正向电压(Max) | 1.75 V |
| 正向电流(Max) | 10 A |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 工作结温(Max) | 175 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -40℃ ~ 175℃ |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
650 V功率肖特基碳化硅二极管 650 V power Schottky silicon carbide diode
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STPSC10H065D 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, 650V系列, 单, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-220AC
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STPSC10H065DY 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, 650V系列, 单, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-220AC
ST Microelectronics（意法半导体）
肖特基整流器, 650 V, 10 A, 单, TO-220AC, 2 引脚, 1.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STPSC10H065B-TR 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, 650V系列, 单, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-252
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STPSC10H065G-TR 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, 650V系列, 单, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-263
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SiC) 肖特基二极管，STMicroelectronics碳化硅 (SiC) 二极管是超高性能功率肖特基二极管。 关闭时不显示恢复，且圆环图案可忽略。 最小电容性关闭行为与温度无关。### 二极管和整流器，STMicroelectronics
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二极管, 碳化硅肖特基, 单, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-252
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