| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.019 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 2.5 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10A |
| 上升时间 | 22 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 475pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 下降时间 | 2.8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 10A 2.5W 表面贴装型 8-SOIC
ST Microelectronics（意法半导体）
13 页 / 0.74 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
14 页 / 0.73 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STS10DN 系列 双 N-沟道 30 V 0.019 Ohm 10 A 功率 MosFet - SOIC-8
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
