STU6N62K3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-251-3
描述:	N沟道620 V， 0.95 I© （典型值）， 5.5 SuperMESH3功率MOSFET采用TO- 220FP ， IPAKFP ， IPAK ， TO- 220 ， IPAK包 N-channel 620 V, 0.95 Î© typ., 5.5 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220, IPAK packages
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STU6N62K3 数据手册 (19 页)

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STU6N62K3 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-251-3
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.95 Ω
极性	N-Channel
功耗	90 W
阈值电压	3.75 V
漏源极电压(Vds)	620 V
上升时间	12.5 ns
输入电容值(Ciss)	875pF @50V(Vds)
额定功率(Max)	90 W
下降时间	19 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	90W (Tc)

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STU6N62K3 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	6.6 mm
宽度	2.4 mm
高度	6.2 mm
工作温度	150℃ (TJ)

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N沟道620 V， 0.95 I© （典型值）， 5.5 SuperMESH3功率MOSFET采用TO- 220FP ， IPAKFP ， IPAK ， TO- 220 ， IPAK包 N-channel 620 V, 0.95 Î© typ., 5.5 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220, IPAK packages

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