| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-247 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 400 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 18.4A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
ST Microelectronics（意法半导体）
7 页 / 0.13 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW18NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V 新
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW18NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道800V - 0.34ヘ - 19A - TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 800V - 0.34ヘ - 19A - TO-247 Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道400V - 0.19ohm - 18.4A TO- 247 / ISOWATT218的PowerMESH MOSFET N-CHANNEL 400V - 0.19ohm - 18.4A TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 0.27з - 16A TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.27з - 16A TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道400V - 0.19ohm - 18.4A TO- 247 / ISOWATT218的PowerMESH MOSFET N-CHANNEL 400V - 0.19ohm - 18.4A TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
