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STW18NM60N
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STW18NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:STMICROELECTRONICS  STW18NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
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STW18NM60N 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.26 Ω
极性N-Channel
功耗110 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)13A
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)1000pF @50V(Vds)
额定功率(Max)110 W
下降时间25 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)110W (Tc)
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STW18NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STW18NM60N 数据手册

STW18NM60N 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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STW18NM60N 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
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STW18NM60 数据手册

STW18NM60N 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STW18NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
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