STW33N20 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-247
描述:	N - 沟道增强型功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
PDF文件:	STW33N20 数据手册 (9 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

STW33N20 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STW33N20 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
封装	TO-247
极性	N-CH
漏源极电压(Vds)	200 V
连续漏极电流(Ids)	33A

查看数据手册 >

STW33N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Unknown

查看数据手册 >

STW33N20 符合标准

STW33N20 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

9 页 / 0.11 MByte

STW33 数据手册

STW33N60M2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STW33N60DM2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间，可提高效率，此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力，可提高系统可靠性符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STW33N20 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N - 沟道增强型功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

STW33N60M6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

晶体管, MOSFET, N沟道, 600 V, 0.125 ohm, 10 V

器件 Datasheet 文档搜索

数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号