STW38NB20 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-247-3
描述:	N - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
PDF文件:	STW38NB20 数据手册 (7 页)封装尺寸在5 页原理图在1 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

STW38NB20 数据手册 (7 页)

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STW38NB20 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
额定电压(DC)	200 V
额定电流	38.0 A
封装	TO-247-3
功耗	180W (Tc)
输入电容	3.80 nF
栅电荷	95.0 nC
漏源极电压(Vds)	200 V
连续漏极电流(Ids)	38.0 A
输入电容值(Ciss)	3800pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)	180W (Tc)

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STW38NB20 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Unknown
包装方式	Tube
工作温度	150℃ (TJ)

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STW38NB20 符合标准

STW38NB20 概述

STW38NB20 数据手册

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