类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 5.00 A |
封装 | TO-220-3 |
漏源极电阻 | 1.80 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 100 W |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
漏源击穿电压 | 600 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 5.00 A |
上升时间 | 10 ns |
输入电容值(Ciss) | 884pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 100 W |
下降时间 | 7 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 100W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 4.6 mm |
高度 | 9.15 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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N沟道500V - 1.22Ω - 4.4A TO- 220 / FP -D / IPAK - D2 / I2PAK齐纳保护的超网MOSFET ? N-CHANNEL 500V - 1.22Ω - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH?MOSFET
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N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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STMICROELECTRONICS STP5NK80ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 800 V, 1.9 ohm, 10 V, 3.75 V
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