类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-247-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.11 Ω |
极性 | N-CH |
功耗 | 450 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 950 V |
连续漏极电流(Ids) | 38A |
上升时间 | 51 ns |
输入电容值(Ciss) | 3300pF @100V(Vds) |
下降时间 | 10 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
耗散功率(Max) | 450W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 38A(Tc) 450W(Tc) TO-247
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 950 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
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