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STW45NM50FD
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STW45NM50FD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N沟道500 V， 0.07 Ω ， 45 A， TO- 247 FDmesh ™功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500 V, 0.07 Ω, 45 A, TO-247 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode)
PDF文件:STW45NM50FD 数据手册 (12 页)封装尺寸在9 页10 页
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STW45NM50FD 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)500 V
额定电流45.0 A
封装TO-247-3
漏源极电阻0.1 Ω
极性N-Channel
功耗417 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)45.0 A
上升时间107.5 ns
输入电容值(Ciss)3600pF @25V(Vds)
额定功率(Max)417 W
下降时间87.7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)417W (Tc)
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STW45NM50FD 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
长度15.75 mm
宽度5.15 mm
高度20.15 mm
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
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STW45NM50FD 数据手册

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STW45NM50 数据手册

STW45NM50 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STW45NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 550 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
STW45NM50FD 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道500 V， 0.07 Ω ， 45 A， TO- 247 FDmesh ™功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500 V, 0.07 Ω, 45 A, TO-247 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode)
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