| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | TO-247-4 |
| 漏源极电阻 | 0.062 Ω |
| 功耗 | 358 W |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 上升时间 | 27.5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3900pF @100V(Vds) |
| 下降时间 | 13 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 358W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 15.9 mm |
| 宽度 | 5.1 mm |
| 高度 | 21.1 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronics
●STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW56N65DM2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 49 A, 650 V, 0.049 ohm, 10 V, 3 V 新
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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