Datasheet 搜索 > MOS管 > ST Microelectronics（意法半导体） > STY100NS20FD Datasheet 文档
STY100NS20FD
来自 AiPCBA

STY100NS20FD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N沟道200V - 0.022ohm - 100A MAX247 MESH OVERLAY⑩功率MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.022ohm - 100A Max247 MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
PDF文件:STY100NS20FD 数据手册 (12 页)封装尺寸在9 页10 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
STY100NS20FD 数据手册 (12 页)
查看文档
或点击图片查看大图

STY100NS20FD 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)200 V
额定电流100 A
封装TO-247-3
漏源极电阻24.0 mΩ
极性N-Channel
功耗450 W
输入电容7.90 nF
栅电荷360 nC
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)100 A
上升时间140 ns
输入电容值(Ciss)7900pF @25V(Vds)
额定功率(Max)450 W
下降时间140 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)450W (Tc)
查看数据手册 >

STY100NS20FD 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度15.9 mm
宽度5.3 mm
高度20.3 mm
工作温度150℃ (TJ)
查看数据手册 >

STY100NS20FD 数据手册

STY100NS20FD 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
12 页 / 0.24 MByte

STY100NS20 数据手册

STY100NS20FD 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道200V - 0.022ohm - 100A MAX247 MESH OVERLAY⑩功率MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.022ohm - 100A Max247 MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet