Datasheet 搜索 > MOS管 > ST Microelectronics（意法半导体） > STC6NF30V Datasheet 文档
STC6NF30V
来自 AiPCBA

STC6NF30V 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TSSOP-8
描述:N沟道30V - 0.020ohm - 6A - TSSOP8 2.5V驱动STripFE TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.020ohm - 6A - TSSOP8 2.5V-drive STripFE TM II Power MOSFET
PDF文件:STC6NF30V 数据手册 (13 页)封装尺寸在10 页11 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
STC6NF30V 数据手册 (13 页)
查看文档
或点击图片查看大图

STC6NF30V 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流6.00 A
封装TSSOP-8
漏源极电阻20.0 mΩ
极性N-Channel
功耗1.5 W
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压±12.0 V
连续漏极电流(Ids)6.00 A
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.5 W
下降时间13 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1500 mW
查看数据手册 >

STC6NF30V 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Cut Tape (CT)
长度3 mm
宽度4.4 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

STC6NF30V 数据手册

STC6NF30V 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
13 页 / 0.28 MByte
STC6NF30V 其他参考文件
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.13 MByte

STC6NF30 数据手册

STC6NF30V 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.020ohm - 6A - TSSOP8 2.5V驱动STripFE TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.020ohm - 6A - TSSOP8 2.5V-drive STripFE TM II Power MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet