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STP30NM30N
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STP30NM30N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
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STP30NM30N 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
漏源极电阻90 mΩ
极性N-Channel
功耗160 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)300 V
连续漏极电流(Ids)30.0 A
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)2500pF @50V(Vds)
额定功率(Max)160 W
下降时间25 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)160W (Tc)
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STP30NM30N 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.4 mm
宽度4.6 mm
高度15.75 mm
工作温度-65℃ ~ 150℃
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STP30NM30N 数据手册

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ST Microelectronics（意法半导体）
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STP30NM30 数据手册

STP30NM30N 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
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